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最新バージョン情報

最新バージョンであるPSIM Ver.11の新機能をご案内します。
新しいモジュールが追加され、ますますパワーアップしたPSIMをどうぞご活用ください。

すべての新機能を無料で30日間お試しいただけるトライアル版はこちらからお申し込みください。

下記をまとめた「PSIM Ver.11.1の新機能（PDF 934KB）」はこちら。

Ver.11.1の新機能

Professional
IGBT Level2 モデルの追加
Professional
ヒステリシス付き可飽和インダクタモデルの新規追加
SPICE
LTspiceシミュレーションが実行可能に
SPICE Pro
SiC/Ganモデルの追加
Simcoder
PE-Expert4 ハードウェアターゲットの追加

追加機能

IGBT Level-2 モデルの追加

　IGBT の Level-2 モデルが追加されました。MOSFET の Level-2 モデルと似ており、IGBT-2 モデルは IGBT ターンオン、ターンオフトランジェントが含まれています。
　次の図は Level-2 モデルによる IGBT ターンオン、ターンオフを表しています。

可飽和インダクタモデルの追加

　可飽和インダクタモデルが追加されました。このモデルは線形領域と飽和領域の急激な遷移をもつコアをより良く表現し、より安定しています。可飽和コアサンプルの B-H カーブは次の図のようになります。

LTspice シミュレーションの実行

　今回のバージョンから PSIM 環境から直接 LTspice の実行が可能となります。LTspice の実行パスを設定すれば LTspice で回路シミュレーションが可能となり結果は Simview で確認できます。
　この機能により SiC/GaN を含め LTspice の多くモデルを利用することができます。また、1つの回路図で PSIM と LTspice シミュレーションを実行できます。
　下記の回路図は PSIM にある LTspice シミュレーション用の昇圧コンバータの回路図です。右が Simview での結果の波形となります。

SiC/GaN モデル

　CoolCAD Electronics が開発した SiC と GaN モデルが Cool SPICE エンジンで実行できます。
　ビヘイビアモデルをベースとしていることの多い他の SiC/GaN モデルと比べると BSIM SPICE モデルを基に作成されており、より安定したものとなっています。　また、熱効果としてデバイス損失やデバイスの接合温度の見積もりを考慮しています。次の例は Cree の SiC MOSFET とダイオードモデルを使った昇圧コンバータの回路図です。

現在用意されているモデルは次のようになります。

- SiC models:
- Cree:: C2M0025120DS, C2M0040120DS, C2M0080120DS, C2M0160120DS, C2M10000170DS, C2M0065090JS, CMF10120Sm, CMF20120S
- Rohm:: SCT2120AF, SCT2160KE, SCT2280KE. SCT2450KE
- ST Microelectronics:: SCT30N120
- GaN models:
- EPC:: EPC2019S, EPC2010CS, EPC2025S, EPC2012CS
- GaN Systems:: GS61008TS, GS66508TS, GS66502BS

CoolSpice の SiC/GaN モデルは SPICE Pro モジュールでのみ使用できます。

PE-Expert4 ハードウェアターゲットの新規追加

　Myway 製 DSP 開発プラットフォーム PE-Expert4 をサポートする PE-Expert4 ハードウェアターゲットが新規追加されました。PE-Expert4 は大変強力なプラットフォームです。クロック周波数 1.25GHz をもつ TI C6657 がベースとなっています。500kHz までのスイッチング周波数に対応できます。

　PE-Expert4 ターゲットライブラリの素子は次のようになります。

　PE-Expert4 ターゲットがあると様々なパワーコンバータやモータードライブアプリケーションなどの制御アルゴリズムを簡単に実装できるようになります。