半導体素子の損失計算

---

半導体デバイスの特性を簡単にデバイスデータベースに登録し、素子として使用することが可能です。

登録した素子を使用することで、半導体素子(IGBT、MOSFET、ダイオードなど)の損失計算ができ、ダイオードとトランジスタの導通損失およびスイッチング損失を個別に計算することもできます。

 

　特長　

デバイスデータベースが可能性を増やす

デバイスデータベースに登録した損失の特性を持った素子として使用可能に。素子はそのままシミュレーションに反映され損失計算を簡単に行なうことができます。

 

 

デバイスデータベースエディタ

デバイスのデータシートから特性を入力することができます。

 

データベースエディタに入力するパラメータ

 

IGBTの損失計算例

※登録したデバイス特性はON抵抗のみ回路の動作、通常のシミュレーションに反映されます。スイッチング損失は、回路の動作、通常のシミュレーション結果には反映されません。

 

 

実機での試験との比較

DC/DCコンバータ（昇圧チョッパ）を動作させた際の損失を実機とシミュレーションで比較しました。

実験システム

スイッチング周波数	18kHz
入力電圧	310V
出力電圧	365V
インダクタンス	2mH
定格入力電流	12A

 

実験結果

 

損失結果の比較

 

接合部温度計算例

■ 熱等価回路を利用して、装置の接合温度を計算する
■ 回路シミュレーションと同時に、ヒートシンクの熱設計も可能になる

 

 

 

 

 

構成・機能ページへ戻る