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SiC半導体デバイスを用いた受託開発

MywayプラスはSiC半導体デバイスをいち早く利用した受託開発を行っています。電力変換装置内部のスイッチング周波数を従来のSi半導体デバイスより高周波化することでリアクトルやコンデンサの少容量化に努め、装置全体の小型化を実現します。電力変換器の高効率化、小型化といった課題の解決に大きく貢献する技術です。


ロームSiCデバイス・モジュール

概要

設立当初から大電流・高電圧のデジタル制御に取り組み、独自のアルゴリズム開発や高速ライブラリ・汎用的なデジタルコントローラボードの製品化などを手がけてきました。それらの技術を活かし、さらにSiC半導体デバイスを使用した製品・カスタム製品はお客様の製品開発においても大きなアドバンテージとなります。


代表的な事例

  • 非絶縁型双方向DC-DCコンバータ

    従来品に比べて体積比1/10を実現した組込み用電力変換モジュールです。

  • SiCデバイス搭載インバータユニット

    キャリア周波数200kHz、直流入力800Vを実現した実験用インバータユニットです。

パワコン

  • 高効率SiC半導体素子搭載V2H用パワーコンディショナ
  • V2H(Vehicle to home)用のパワーコンディショナを開発しました。

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